半導体素子および半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西片 一昭; 清水 均; 山中 信光 |
| 发表日期 | 1998-05-22 |
| 专利号 | JP1998135512A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子および半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 特性が安定し、生産性が向上する半導体素子および半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板1上に少なくとも、下部クラッド層2、コア層3、4、5および上部クラッド層8を順次積層したリッジ導波路型の半導体素子の製造方法において、基板1上に先ず、MBE法によりAlGaInAs系からなる下部クラッド層2、コア層3、4、5を含み、最上層7がGaInAsである第1の半導体積層構造を成長し、次いで、MOCVD法によりGaInAsP系からなる上部クラッド層8を含む第2の半導体積層構造を成長し、次いで、第2の積層構造体をリッジストライプ状に加工する工程を有する。 |
| 公开日期 | 1998-05-22 |
| 申请日期 | 1996-10-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66105]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西片 一昭,清水 均,山中 信光. 半導体素子および半導体素子の製造方法. JP1998135512A. 1998-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。