半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 野澤 博; 佐々木 徹; 天明 二郎; 玉村 敏昭 |
| 发表日期 | 2001-01-26 |
| 专利号 | JP2001024283A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 臨界膜厚を増大させることによって信頼性を高めた歪量子井戸半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】 GaAs基板上1に井戸層及び障壁層を積層した歪量子井戸活性層3を含むダブルヘテロ構造を結晶成長させる工程において、井戸層の成長温度が前記井戸層以外の結晶成長層の成長温度よりも低いことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-01-26 |
| 申请日期 | 1999-07-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66109]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野澤 博,佐々木 徹,天明 二郎,等. 半導体レーザの製造方法及び半導体レーザ. JP2001024283A. 2001-01-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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