埋め込み型半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 馬渡 宏泰; 福田 光男; 松本 信一 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236855A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋め込み型半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】埋め込み構造の半導体レーザ等の埋め込み型半導体装置の作製過程において形成された転位や欠陥等の拡散による劣化モードを抑制し、長期にわたり安定して高性能を保持し得る信頼性の高い埋め込み型半導体装置を提供する。 【構成】半導体基板上に、少なくとも第1導電型のバッファ層、活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層を積層してストライプ状に加工したメサストライプと、このメサストライプの両側面に、少なくとも半絶縁性高抵抗層を含む電流阻止層を具備した埋め込み型半導体装置において、活性層の下からの深さが2.0μm以上有する形状のメサストライプとするか、またはメサストライプの高さを、第1導電型のバッファ層、活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層の各層厚の和よりも小さくし、かつ活性層、第2導電型のクラッド層および第2導電型の電極層の各層厚の和よりも大きくした構造とする。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66119]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 馬渡 宏泰,福田 光男,松本 信一. 埋め込み型半導体装置. JP1996236855A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。