埋め込み型半導体レーザの埋め込み層形成用マスクおよびこれを用いた埋め込み型半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山内 義則; 大柴 小枝子; 中村 幸治; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1997-07-11 |
| 专利号 | JP1997181388A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 埋め込み型半導体レーザの埋め込み層形成用マスクおよびこれを用いた埋め込み型半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 MOVPE法を用いて選択成長を行っても、ポリクリスタルが形成されのない埋め込み型半導体レーザの埋め込み層形成用マスク。 【解決手段】 半導体レーザの埋め込み層形成用マスクの幅を、以下のように規定しする。すなわち、半導体基板11上に予備活性層14までが少なくとも設けられていて表面が平坦な構造体10上に、所定の間隔をもって並置される3枚の帯状のマスク20(中心のマスク20a、両わきのマスク20b)であって、このマスク20を用いて前述の構造体10をエッチングして、活性層を含むメサ構造と該メサ構造の両側にエッチング溝を形成した後、エッチング溝にMOVPE法を用いて埋め込み型半導体レーザの埋め込み層を形成するための当該マスク20において、これらのマスク20のうち、両わきのマスク20bの幅を、活性層の幅を決める中心のマスクの幅20aと同等あるいはそれ以上の幅であって、かつMOVPEに用いる原料の構造体に対する拡散長を超えない範囲の幅とする。 |
| 公开日期 | 1997-07-11 |
| 申请日期 | 1995-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66128]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山内 義則,大柴 小枝子,中村 幸治,等. 埋め込み型半導体レーザの埋め込み層形成用マスクおよびこれを用いた埋め込み型半導体レーザの製造方法. JP1997181388A. 1997-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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