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半導体光導波路及びその製造方法

文献类型:专利

作者和田 浩; 国井 達夫; 上條 健; 小川 洋
发表日期1995-07-04
专利号JP1995170020A
著作权人OKI ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体光導波路及びその製造方法
英文摘要【目的】 ダブルヘテロ接合を利用した光導波路であって電子及び正孔の再結合に起因する不都合をより除去若しくは低減できる光導波路を提供する。 【構成】 InGaAsP光導波層11並びに該光導波層11を挟むn型InP第1クラッド層15及びp型InP第2クラッド層17と、各クラッド層15,17それぞれの、前記光導波層11とは反対側にそれぞれ設けられた電極21,23とを具える半導体光導波路において、光導波層11と第1又は第2クラッド層との間に絶縁層25を具える。絶縁25層及び光導波層11間に絶縁層25に起因して前記光導波層11の品質が低下することを防止するための保護層27を設ける。
公开日期1995-07-04
申请日期1993-12-15
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66155]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位OKI ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
和田 浩,国井 達夫,上條 健,等. 半導体光導波路及びその製造方法. JP1995170020A. 1995-07-04.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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