半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 大柴 小枝子; 中村 幸治; 山内 義則 |
| 发表日期 | 1997-02-14 |
| 专利号 | JP1997043555A |
| 著作权人 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 逆方向バイアス印加時の漏れ電流を防ぎ、メサ側面をFeドープInP埋め込み層で埋め込んだ半導体光変調器及びそれに集積された半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 光吸収層22を有するメサ側面をFeドープInP高抵抗埋め込み層24で埋め込んだ半導体光変調器において、前記FeドープInP高抵抗埋め込み層24上に形成される1×1018cm-3以上の高濃度の不純物濃度のn型InP埋め込み層25と、このn型InP埋め込み層25上に形成される1×1017cm-3以下の低濃度の不純物濃度のp型InP埋め込み層26と、前記光吸収層22及びp型InP埋め込み層26上に形成される4×1017cm-3以上の高濃度の不純物濃度のp型InPクラッド層23とを設けるようにしたものである。 |
| 公开日期 | 1997-02-14 |
| 申请日期 | 1995-07-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66166]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OKI ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大柴 小枝子,中村 幸治,山内 義則. 半導体光変調器及びそれが集積された半導体レーザ装置. JP1997043555A. 1997-02-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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