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化合物半導体製造装置

文献类型:专利

作者斉藤 啓谷; 山口 博司
发表日期1993-08-13
专利号JP1993206035A
著作权人HITACHI LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名化合物半導体製造装置
英文摘要【目的】有機金属気相成長法によって化合物半導体を製造する際、レーザ光照射によって選択的にエピタキシャル成長する。 【構成】トリメチル·ガリウム5,アルシン 16 などの混合ガスを原料ガスとして、反応チャンバ 31 に導入し、Arレーザ発振器 41 で発振したレーザ光 47 を対物レンズ 45 で集光して半導体基板 34 に照射し、レーザ光による加熱、または光化学反応によって原料ガスを分解し、ステージ 32 によって半導体基板 34 を移動しながら選択的エピタキシャル成長する化合物半導体製造装置。 【効果】選択的エピタキシャル成長によって、任意形状の光導波路、半導体レーザを形成できる。
公开日期1993-08-13
申请日期1992-01-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66167]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位HITACHI LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
斉藤 啓谷,山口 博司. 化合物半導体製造装置. JP1993206035A. 1993-08-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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