化合物半導体製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 斉藤 啓谷; 山口 博司 |
| 发表日期 | 1993-08-13 |
| 专利号 | JP1993206035A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体製造装置 |
| 英文摘要 | 【目的】有機金属気相成長法によって化合物半導体を製造する際、レーザ光照射によって選択的にエピタキシャル成長する。 【構成】トリメチル·ガリウム5,アルシン 16 などの混合ガスを原料ガスとして、反応チャンバ 31 に導入し、Arレーザ発振器 41 で発振したレーザ光 47 を対物レンズ 45 で集光して半導体基板 34 に照射し、レーザ光による加熱、または光化学反応によって原料ガスを分解し、ステージ 32 によって半導体基板 34 を移動しながら選択的エピタキシャル成長する化合物半導体製造装置。 【効果】選択的エピタキシャル成長によって、任意形状の光導波路、半導体レーザを形成できる。 |
| 公开日期 | 1993-08-13 |
| 申请日期 | 1992-01-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66167]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 斉藤 啓谷,山口 博司. 化合物半導体製造装置. JP1993206035A. 1993-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。