利得結合分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 須藤 剣; 青木 雅博; 古森 正明; 大家 彰; 魚見 和久 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068601A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 利得結合分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は利得結合分布帰還型半導体レーザに関し、特に簡易な作製法で利得結合構造の作製を容易にすることを可能とする分布帰還型半導体レーザの構造及びその作製方法を提供することを目的とする。さらなる目的は本発明のレーザを搭載した低コストで高性能動作可能な光モジュールを提供することにある。 【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明者らは、同一の導電型を有し隣接する上側光ガイド層とクラッド層との境界に、境界の上下の層とは反対の導電型を有するキャリア阻止層を回折格子の周期で配置することによって、キャリアを周期的に変調して活性層に注入し、これに伴う活性層における光学利得の周期的な変調によって利得結合を誘起するという、簡易な手法で実現する利得結合分布帰還型半導体レーザの素子構造及びその作製方法を開示する。 【効果】 容易な手法で単一モード発振歩留まりの高い分布帰還型半導体レーザを実現できる。さらに、本素子を搭載した光モジュールの高出力動作化、高温動作を大きく改善できる。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66174]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須藤 剣,青木 雅博,古森 正明,等. 利得結合分布帰還型半導体レーザ. JP2000068601A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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