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リッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法

文献类型:专利

作者山田 光志; 中村 幸治; 堀川 英明
发表日期1999-07-30
专利号JP1999202274A
著作权人沖電気工業株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名リッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法
英文摘要【課題】 リッジ部上のボンディング電極の耐久性の向上を図り得るリッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 リッジ部17を有する本体16′と、有機絶縁材料からなる絶縁体20とを含むリッジ導波路型半導体光機能素子10の製造方法において、リッジ部17を形成するための無機絶縁材料からなる帯状のエッチングマスク18を残した状態で、リッジ部17の両側を埋める絶縁体を、リッジ部17の両側面における少なくとも上部に直接的に接して形成する。
公开日期1999-07-30
申请日期1998-01-07
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66183]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位沖電気工業株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
山田 光志,中村 幸治,堀川 英明. リッジ導波路型半導体光機能素子及びその製造方法. JP1999202274A. 1999-07-30.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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