青色半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 大場 康夫; 泉谷 敏英; 波多野 吾紅 |
| 发表日期 | 1998-09-14 |
| 专利号 | JP1998247760A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 青色半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 ダブルへテロ構造の一部を成すp型GaAlNクラッド層を格子歪みなく低抵抗に作成することができ、青色発光素子の実現を可能にする。 【解決手段】 n型GaP基板41上に形成されたn型BPバッファ層42と、このバッファ層42上に形成され、AlGaN/BP超格子の活性層44をAlGaN/BP超格子のp型及びn型クラッド層43,45で挟んで形成されたダブルへテロ構造部とを備えた青色発光素子において、ダブルへテロ構造部のp側クラッド層45にはMgがドープされ、n側クラッド層43にはSiがドープされている。 |
| 公开日期 | 1998-09-14 |
| 申请日期 | 1989-04-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66184]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大場 康夫,泉谷 敏英,波多野 吾紅. 青色半導体発光素子. JP1998247760A. 1998-09-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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