導波路型集積半導体装置の作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 順自; 横内 則之; 山口 武治 |
| 发表日期 | 2000-05-30 |
| 专利号 | JP2000150925A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 導波路型集積半導体装置の作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高精度な寸法で素子分離領域を形成できる導波路型集積半導体装置、例えば光減衰器集積導波路型受光装置を作製する方法を提供する。 【解決手段】 本方法は、受光素子と光減衰器とを素子分離領域により電気的に分離して、半導体基板上にモノリシック集積させた導波路型集積半導体装置の作製方法である。本方法は、半導体基板上全面に受光素子の積層構造を形成する第1の工程と、次いで、光減衰器形成領域及び素子分離領域から受光素子の積層構造を除去する第2の工程と、受光素子の積層構造を除去した光減衰器形成領域及び素子分離領域上に電気的素子分離構造を形成する第3の工程と、光減衰器形成領域から電気的素子分離構造を除去する第4の工程と、電気的素子分離構造を除去した光減衰器形成領域に光減衰器の積層構造を形成する第5の工程とを有する。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1998-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66192]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 順自,横内 則之,山口 武治. 導波路型集積半導体装置の作製方法. JP2000150925A. 2000-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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