高消光比半導体光増幅器及びそれを用いた光スイッチ
文献类型：专利
| 作者 | 井本 克之 |
| 发表日期 | 2000-04-28 |
| 专利号 | JP2000124554A |
| 著作权人 | 日立電線株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高消光比半導体光増幅器及びそれを用いた光スイッチ |
| 英文摘要 | 【課題】 より高利得で、より高消光比の高消光比半導体光増幅器及びそれを用いた光スイッチを提供する。 【解決手段】 半導体基板1の上にスラブ状の下部クラッド層2と活性層3とが順次積層され、この活性層3の上にこの活性層3より幅が狭くかつ長さ方向の少なくとも1箇所で幅方向に曲った上部クラッド層13が積層され、この上部クラッド層13の上にコンタクト層14が積層され、これら上部クラッド層13及びコンタクト層14の幅方向両側部に酸化膜15とポリマ層16とが設けられ、このコンタクト層14の上に上部電極9が設けられ、前記半導体基板1の下に下部電極8が設けられている。活性層3内の信号光は、上部クラッド層13の直下の活性層3内に閉じ込められて伝搬する。 |
| 公开日期 | 2000-04-28 |
| 申请日期 | 1998-10-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66203]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日立電線株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井本 克之. 高消光比半導体光増幅器及びそれを用いた光スイッチ. JP2000124554A. 2000-04-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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