半導体発光素子およびこれを用いたレーザプロジェクタ
文献类型：专利
| 作者 | 今西 大介 |
| 发表日期 | 2008-08-21 |
| 专利号 | JP2008192799A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびこれを用いたレーザプロジェクタ |
| 英文摘要 | 【課題】 p型クラッド層における電子の溢れ出しを抑制し、温度特性を向上させると共に、活性層への光閉じ込めが可能な半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 n型GaAsからなる基板10上に、AlxGa1-xPからなるn型クラッド層12、GaInPからなる活性層13、およびAlxGa1-xPからなるp型クラッド層15を有する。活性層13とp型クラッド層15との間にGaPからなる電子障壁層14が設けられる。クラッド層と活性層との間の屈折率差を確保することができると同時に、伝導帯におけるバンド不連続を大きくとることができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-08-21 |
| 申请日期 | 2007-02-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66204]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 今西 大介. 半導体発光素子およびこれを用いたレーザプロジェクタ. JP2008192799A. 2008-08-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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