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外部共振器型レーザ装置

文献类型:专利

作者西村 三千代
发表日期1993-08-13
专利号JP1993206580A
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名外部共振器型レーザ装置
英文摘要【目的】 半導体レーザへの光帰還量を波長に合わせて制御することで波長によらず出力パワーを安定化できる外部共振器型レーザ装置を提供する。 【構成】 外部共振器型レーザ装置は、半導体レーザ1、結合レンズ2,3、ブレーズドグレーティング4、回転ステージ5、無反射コーティング6、LDドライバ7、コントローラ8及び光帰還部の光路中に挿入された可変NDフィルタ9からなり、コントローラ8がグレーティング回転角度及び可変NDフィルタ9を制御するように構成される。コントローラ8が、回転ステージ5の回転を調節すると共に可変フィルタ9の回転を制御することで、半導体レーザ1への光帰還量が波長に合わせて調整されるので、波長によらず一定の出力パワーを得ることができる。
公开日期1993-08-13
申请日期1991-05-17
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66215]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
西村 三千代. 外部共振器型レーザ装置. JP1993206580A. 1993-08-13.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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