集積化半導体光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山田 光志; 村井 仁; 小川 洋 |
| 发表日期 | 1996-06-21 |
| 专利号 | JP1996162706A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 集積化半導体光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 第1及び第2光導波路層側のストライプの中心軸ずれを生じない集積化半導体光素子の製造方法を提供する。 【構成】 下地上に島状の第1光導波路予備層を形成した後、第1光導波路予備層の周辺を第2光導波路予備層で埋め込む工程と、第1及び第2光導波路予備層の上側表面にわたってストライプ状の第1マスク30を形成した後、これら予備層に対しエッチングを行ってストライプ方向に連続する第1及び第2光導波路層を含むストライプ状のリッジ36を形成する工程と、第2光導波路層側のリッジ34の部分の全体を第2マスク38で覆う工程と、第1光導波路層側のリッジ32の両側面に接する領域であってエッチングによる露出面上に第1埋込み層を形成する工程と、第2及び第1マスクを順次除去した後、第2光導波路層側のリッジの両側面に接する領域であって露出面上に第2埋込み層を形成する工程とを含む。 |
| 公开日期 | 1996-06-21 |
| 申请日期 | 1994-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66216]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山田 光志,村井 仁,小川 洋. 集積化半導体光素子の製造方法. JP1996162706A. 1996-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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