半導体光素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 土屋 朋信; 古森 正明; 佐藤 宏; 青木 雅博; 大家 彰 |
| 发表日期 | 1999-08-10 |
| 专利号 | JP1999220217A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ,導波路,受光素子,変調器等の集積化において、井戸層膜厚だけでなく周期数や層構造の異なる素子を簡便な方法で高歩留まりに集積化し、かつその信頼性を向上する。 【解決手段】従来の一括選択成長法に塩素系の原料を添加し、成長とエッチングを面内で制御する。 |
| 公开日期 | 1999-08-10 |
| 申请日期 | 1998-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66217]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 土屋 朋信,古森 正明,佐藤 宏,等. 半導体光素子とその製造方法. JP1999220217A. 1999-08-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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