光照射によるII-VI族p型半導体の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤田茂夫; 藤田静雄 |
| 发表日期 | 1994-06-10 |
| 专利号 | JP1994163432A |
| 著作权人 | 新技術事業団 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光照射によるII-VI族p型半導体の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光照射によりII-VI族p型半導体を制御性、再現性よく製造する。 【構成】 II族元素のZn及びCdの少なくとも1種とVI族元素のS及びSeの少なくとも1種とのII-VI族半導体の気相エピタキシャル成長において、光を照射することにより、成長層表面において電子、正孔を発生させて強い非熱平衡状態を作り出し、次いで、この電子·正孔の作用に基づいてp型不純物のLiを添加して、II-VI族p型半導体を得る。II-VI族n型半導体とp-n接合を作製すると、可視短波長から近紫外領域での発光ダイオードやレーザダイオード等の半導体装置を作製できる。 |
| 公开日期 | 1994-06-10 |
| 申请日期 | 1992-11-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66230]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新技術事業団 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤田茂夫,藤田静雄. 光照射によるII-VI族p型半導体の製造方法. JP1994163432A. 1994-06-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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