II-VI族化合物半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 池田 昌夫; 塚本 弘範; 谷口 理; 伊藤 哲; 白石 誠司 |
| 发表日期 | 1996-01-19 |
| 专利号 | JP1996018161A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | II-VI族化合物半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 結晶欠陥の増殖速度を抑え、長寿命化が可能となるII-VI族化合物半導体レーザを提供する。
【構成】 II-VI族化合物半導体発光素子による基板上のZnz Mg1-x Sy Se1-y (0A Cd1-A SB Se1-B (0z Se1-z (0 |
| 公开日期 | 1996-01-19 |
| 申请日期 | 1995-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66232]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 池田 昌夫,塚本 弘範,谷口 理,等. II-VI族化合物半導体発光素子. JP1996018161A. 1996-01-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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