III-V族化合物半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小沢 正文 |
| 发表日期 | 1998-05-15 |
| 专利号 | JP1998125655A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | III-V族化合物半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 n側電極のオーミック接触抵抗が低い窒素系III -V族化合物半導体素子を製造する方法を提供する。 【解決手段】 周期律表の第V族元素として窒素を含むn型III -V族化合物半導体層上に電極を形成するに当たり、化合物半導体層の電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるように化合物半導体層の電極形成面を処理し、その後、電極層を成膜する。好適には、エッチング速度が70nm/min以下の条件で反応性化学エッチングをn型化合物半導体層の電極形成面に施して、電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるようにする。また、別法として800℃以上の熱処理をn型化合物半導体層の電極形成面に施して、電極形成面のストイキオメトリが低い窒素比率になるようにする。 |
| 公开日期 | 1998-05-15 |
| 申请日期 | 1996-10-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66252]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文. III-V族化合物半導体素子の製造方法. JP1998125655A. 1998-05-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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