エピタキシャルウェハおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 松原 秀樹; 高岸 成典; 三浦 祥紀; 関 壽; 纐纈 明伯 |
| 发表日期 | 1996-07-23 |
| 专利号 | JP1996188498A |
| 著作权人 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 高性能のエピタキシャルウェハ、およびそれを低コストで工業的に製造できる方法を提供する。 【構成】 面方位が(111)B面から微傾斜させた面を有するGaAs基板と、基板の当該面上に形成されたGaNからなるバッファ層と、バッファ層上に形成されたGaNまたはGaInNを含むエピタキシャル層とを備える。バッファ層およびエピタキシャル層は、有機金属クロライド気相エピタキシ成長法により形成される。 |
| 公开日期 | 1996-07-23 |
| 申请日期 | 1995-01-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66272]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SUMITOMO ELECTRIC IND LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松原 秀樹,高岸 成典,三浦 祥紀,等. エピタキシャルウェハおよびその製造方法. JP1996188498A. 1996-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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