无铝半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 许并社; 董海亮; 梁建; 马淑芳; 余春艳 |
| 发表日期 | 2014-12-24 |
| 专利号 | CN104242058A |
| 著作权人 | 太原理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 无铝半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 本发明属于半导体光电子学技术领域，具体公开了一种无铝半导体激光器结构，该结构包括采用金属有机化学气相沉积方法在衬底上至下而上依次外延生长的缓冲层、下匹配层、下限制层、下过渡层、下波导层、多量子阱层、上波导层、上过渡层、上限制层、上匹配层和电极接触层。本发明是在非对称波导层的基础上对器件的波导层材料和限制层材料如何影响模式限制因子、吸收损耗、阈值电流、输出功率以及长寿命可靠性等进行改进，得到的新结构材料体系的半导体激光器，其中，下、上限制层采用导带差小的InGaP材料，下、上波导层采用导带差小的InGaAsP材料并且选择无铝的非对称的直波导结构。 |
| 公开日期 | 2014-12-24 |
| 申请日期 | 2014-10-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66283]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 太原理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许并社,董海亮,梁建,等. 无铝半导体激光器结构. CN104242058A. 2014-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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