窒化ガリウム系用低電圧降下電気接点
文献类型：专利
| 作者 | ヨン·チェン; ロン·ヤン; シー·ユン ウォン; リチャード·ピー·シュネイダー |
| 发表日期 | 1999-02-12 |
| 专利号 | JP1999040887A |
| 著作权人 | ヒューレット·パッカード·カンパニー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化ガリウム系用低電圧降下電気接点 |
| 英文摘要 | 【課題】従来技術では、窒化ガリウム材料等の半導体デバイスにおいて、窒化ガリウム材料と金属との間の仕事関数の差が大きいこと、窒化ガリウム材料で確実に達成し得る活性化アクセプタ不純物の最大含量は、1017-1018原子/cm3の間であることのために、低接触抵抗と低電圧降下とを示すp-接点を得ることは困難であった。 【解決手段】本願発明の電気接点は、p-形窒化ガリウム材料の層、金属層、及びその半導体層と金属層の間に挟まれた中間層から成る。中間層の材料は、p-形窒化ガリウム材料の高バンドギャップエネルギーより低い、高バンドギャップエネルギーを有するIII-V族半導体である。 |
| 公开日期 | 1999-02-12 |
| 申请日期 | 1998-05-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66284]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ヒューレット·パッカード·カンパニー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ヨン·チェン,ロン·ヤン,シー·ユン ウォン,等. 窒化ガリウム系用低電圧降下電気接点. JP1999040887A. 1999-02-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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