一种利用GaN激光二极管泵浦稀土离子掺杂钽铌酸盐实现可见激光的方法
文献类型:专利
作者 | 彭方; 张庆礼; 殷绍唐; 孙敦陆; 孙贵花; 刘文鹏; 罗建乔; 王小飞 |
发表日期 | 2016-06-01 |
专利号 | CN105633790A |
著作权人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 一种利用GaN激光二极管泵浦稀土离子掺杂钽铌酸盐实现可见激光的方法 |
英文摘要 | 本发明公开了一种利用GaN激光二极管泵浦稀土离子掺杂钽铌酸盐实现可见激光的方法,该方法以声子能量低且晶体对称性低的氧化物材料钽酸盐(RETaO4)和铌酸盐(RENbO4)的单晶为基质,以Pr3+、Sm3+、Dy3+作为激活离子作为激光工作物质,用GaN激光二极管作为泵浦源来获得新型的全固态可见激光基频光源。对于以此技术方案获得的可见波段基频激光,可采用LBO、KTP、BBO等非线性晶体进行倍频,从而获得紫外或深紫外波段的全固态激光,对于获得新波段紫外激光、提高紫外固体激光的效率、功率等具有重要意义。 |
公开日期 | 2016-06-01 |
申请日期 | 2016-03-09 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66292] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 彭方,张庆礼,殷绍唐,等. 一种利用GaN激光二极管泵浦稀土离子掺杂钽铌酸盐实现可见激光的方法. CN105633790A. 2016-06-01. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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