一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 李刚 ; 张松; 崔碧峰; 徐旭红; 赵瑞; 计伟
|
| 发表日期 | 2014-06-25 |
| 专利号 | CN103887704A |
| 著作权人 | 北京牡丹电子集团有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉，包括基体材料层以及分别生长在基体材料层上下表面的上金属层和下金属层，所述上金属层由绝缘隔离层分离成各自独立的第一正极电极、第二正极电极和负极电极，且所述第一正极电极用于给半导体激光器的脊形波导区提供工作时所需的电信号，所述第二正极电极用于给半导体激光器的锥形增益区提供工作时所需的电信号，所述负极电极连接半导体激光器的n面电极。本发明易实现带p电极分离结构的半导体激光器的p面向下封装，在使分离的p电极能独立注入电信号的同时，增强了半导体激光器的散热能力，延长了半导体激光器的寿命，还使器件易于与系统集成。 |
| 公开日期 | 2014-06-25 |
| 申请日期 | 2014-03-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66300]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京牡丹电子集团有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李刚,张松,崔碧峰,等. 一种用于半导体激光器p面向下封装的热沉及其制作方法. CN103887704A. 2014-06-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。