高密度光记录介质的自适应写方法
文献类型：专利
| 作者 | 徐赈教; 朱盛晨; 尹斗燮; 卢明道; 安龙津; 金成洙; 李坰根; 赵明昊; 杨苍镇; 金宗圭 |
| 发表日期 | 2001-11-07 |
| 专利号 | CN1320906A |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 高密度光记录介质的自适应写方法 |
| 英文摘要 | 高密度光记录介质的自适应写方法,包括步骤:根据输入的NRZI信号数据在分组表中读取当前标记及其前导间隔量值组合的上升沿移位值,和当前标记及其结尾间隔量值组合的下降沿移位值;产生受控于上升沿及下降沿移位值相应移位的自适应写脉冲波形;依据产生的自适应写脉冲控制激光二极管的发光功率并在光记录介质上执行写操作;其中分组表为针对NRZI信号的标记及间隔量值按不同脉冲大小分成组的表,该分组表含有随NRZI信号发生的写脉冲波形的上升沿移位值、下降沿移位值。 |
| 公开日期 | 2001-11-07 |
| 申请日期 | 1999-07-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66306]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐赈教,朱盛晨,尹斗燮,等. 高密度光记录介质的自适应写方法. CN1320906A. 2001-11-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。