双波长半导体激光器装置
文献类型：专利
| 作者 | 早川功二; 高山彻; 粂雅博; 佐藤智也; 木户口勋 |
| 发表日期 | 2009-09-16 |
| 专利号 | CN101533991A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 双波长半导体激光器装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种拐点等级、工作电压、温度特性和水平扩散角被优化的双波长半导体激光器装置。半导体激光器装置包括第1发光部；和发光波长比它大的第2发光部。第1发光部和第2发光部分别具有用来注入载流子的条状脊构造。第1发光部的脊构造包括宽度为Wf1、距离前端面5的长度为L3的第1前端区域；宽度为Wr1、距离后端面的长度为L1的第1后端区域；和位于它们之间的长度为L2的第1锥状区域，且Wf1＞Wr1。第2发光部的脊构造包括：宽度为Wf2、距离前端面的长度为L6的第2前端区域；宽度为Wr2、距离后端面的长度为L4的第2后端区域；和位于它们之间的长度为L5的第2锥状区域，且Wf2＞Wr2。另外，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1＜Wf2以及L1＞L4。 |
| 公开日期 | 2009-09-16 |
| 申请日期 | 2009-03-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66309]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 早川功二,高山彻,粂雅博,等. 双波长半导体激光器装置. CN101533991A. 2009-09-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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