环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器
文献类型:专利
作者 | 郑婉华; 刘安金; 邢名欣; 渠宏伟; 周文君; 陈微; 陈良惠 |
发表日期 | 2010-10-20 |
专利号 | CN101867153A |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器 |
英文摘要 | 本发明公开了一种环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器,其特征在于,该垂直腔面发射激光器由下至上依次由下电极(1)、n型衬底(2)、下DBR(3)、有源区(4)、氧化层(5)、刻有空气孔的上DBR(6)、p型盖层(7)和上环形电极(8)、空气孔区(9)和环形出光孔区(10)构成。其中,该垂直腔面发射激光器的上DBR表面的空气孔区为高损耗区,空气孔包围的环形区域为光输出区;该垂直腔面发射激光器的电极蒸镀在上DBR的p型盖层的表面和n型衬底的下表面。利用本发明,能实现相干耦合输出,提高激光器的输出功率,改善激光器的光束质量。 |
公开日期 | 2010-10-20 |
申请日期 | 2009-04-15 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66314] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,刘安金,邢名欣,等. 环形腔光子晶体垂直腔面发射激光器. CN101867153A. 2010-10-20. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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