表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法
文献类型：专利
| 作者 | 方瑞雨; 盖德·艾伯特·罗格若; 路易吉·塔隆 |
| 发表日期 | 2012-11-07 |
| 专利号 | CN102769252A |
| 著作权人 | 安华高科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法。提供了一种表面发射半导体激光器装置，其包括与各种反射器和衍射透镜集成在半导体材料中的边缘发射激光器。边缘发射激光器具有包括有源MQW区域的第一区段、包括无源区域的第二区段和包括半绝缘或未掺杂的半导体体层的第三区段。该配置确保注入电流将会流经有源区域的所有层，从而防止由于MQW有源区域的未注入区域而发生光学损失。另外，包括无源区域确保了没有电流流经有源MQW区域与再生长的半导体体层之间的界面。后一特征提高了性能和装置可靠性。 |
| 公开日期 | 2012-11-07 |
| 申请日期 | 2012-05-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66343]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 安华高科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方瑞雨,盖德·艾伯特·罗格若,路易吉·塔隆. 表面发射半导体激光器装置及制造该装置的方法. CN102769252A. 2012-11-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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