発光素子及び光検出器のモノリシック集積化構造及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ドゥブラフコ·アイ·バビック; スコット·ダブリュ·コルジン |
| 发表日期 | 2000-04-21 |
| 专利号 | JP2000114658A |
| 著作权人 | AGILENT TECHNOL INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 発光素子及び光検出器のモノリシック集積化構造及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】低バイアス電圧によって動作可能であり、レーザと光検出器との間の電気的分離を可能にする3端子モノリシック集積化レーザ·光検出器構造及びその製造方法を提供する。 【解決手段】レーザ·光検出器構造(100)は、VCSELタイプの発光素子(120)及び発光素子(120)に光学的に結合される光検出器(110)とを有する。発光素子(120)及び発光素子(120)はモノリシック集積化技術によって光検出器(110)が発光素子(120)上に重なるように形成され、両者の境界部分にはpn接合(115、215、315、415)が形成される。pn接合(115、215、315、415)の存在によって、発光素子(120)及び光検出器(110)に加えるためのバイアスを電気的に独立させることが可能になる。 |
| 公开日期 | 2000-04-21 |
| 申请日期 | 1999-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66345]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AGILENT TECHNOL INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ドゥブラフコ·アイ·バビック,スコット·ダブリュ·コルジン. 発光素子及び光検出器のモノリシック集積化構造及びその製造方法. JP2000114658A. 2000-04-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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