氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 张保平; 尚景智 |
| 发表日期 | 2009-07-08 |
| 专利号 | CN101478115A |
| 著作权人 | 厦门大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法 |
| 英文摘要 | 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法，涉及一种分布布拉格反射镜，尤其是涉及一种利用金属有机物化学气相沉积制备氮化镓基微腔发光二极管和垂直腔面发射激光器中氮化物DBR的技术。提供一种高质量和具有良好表面形貌的氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法。氮化物DBR设衬底，在衬底上生长GaN缓冲层，再生长由GaN层和AlN层构成的DBR，AlN或/和GaN中掺入铟。先对蓝宝石C面衬底进行热处理，然后在H2气氛下生长GaN成核层，升温生长GaN缓冲层；再生长AlN缓冲层，随后升温使AlN层重新结晶；最后在N2气氛下重复交替生长AlN层和GaN层制备DBR，其中AlN层和GaN层中的一种或两种在生长时掺入铟。 |
| 公开日期 | 2009-07-08 |
| 申请日期 | 2009-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66354]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 厦门大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张保平,尚景智. 氮化物分布布拉格反射镜及其制备方法. CN101478115A. 2009-07-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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