一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置
文献类型：专利
| 作者 | 马斌; 顾培培; 张宗芝; 金庆原 |
| 发表日期 | 2008-09-24 |
| 专利号 | CN101271059A |
| 著作权人 | 复旦大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置 |
| 英文摘要 | 本发明属于光学技术领域，具体为一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置。该装置由电磁铁、程控磁铁电源、光路系统、操作控制系统(PC机)组成，其中，光路系统依次为半导体激光器、起偏棱镜、半透半反棱镜、一检偏棱镜、一光电探测器、凸透镜、样品架、光阑、另一检偏棱镜、长焦距凸透镜和另一光电探测器组成；测量用磁场由电磁铁提供，在磁极间距为4cm时能提供最大至5特斯拉的磁场。本发明利用一会聚凸透镜有效地增大了光在样品表面的入射角和反射角，克服了磁极间距对激光入射角的限制，增强了纵向表面磁光克尔信号强度。本发明使得通过磁光克尔效应测量大矫顽力磁性薄膜成为可能。 |
| 公开日期 | 2008-09-24 |
| 申请日期 | 2008-04-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66357]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 复旦大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 马斌,顾培培,张宗芝,等. 一种大场纵向表面磁光克尔效应测量装置. CN101271059A. 2008-09-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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