用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备
文献类型：专利
| 作者 | 克里斯蒂安·鲁姆博尔茨; 斯文·格哈德 |
| 发表日期 | 2017-08-18 |
| 专利号 | CN107078464A |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备 |
| 英文摘要 | 提出一种用于对层序列进行结构化的方法以及一种半导体激光器设备。在该方法中，通过两个等离子刻蚀方法在层序列(10)中产生至少一个沟槽(4)。半导体激光器设备包括：层序列(10)，所述层序列借助半导体材料形成；和层序列(10)中的两个沟槽(4)，所述沟槽侧向地对脊型波导(30)限界，其中每个沟槽(4)在其背离脊型波导(30)的一侧上由层序列(10)的区域(A)限界。 |
| 公开日期 | 2017-08-18 |
| 申请日期 | 2015-09-21 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66371]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 克里斯蒂安·鲁姆博尔茨,斯文·格哈德. 用于对层序列进行结构化的方法和半导体激光器设备. CN107078464A. 2017-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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