掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 王国富; 黄新阳; 林州斌; 胡祖树; 张莉珍 |
| 发表日期 | 2005-10-19 |
| 专利号 | CN1683609A |
| 著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法 |
| 英文摘要 | 掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法，涉及人工晶体领域。采用提拉法，在1065℃温度下，以10－35转/分钟的晶体转速，0.5－0.6毫米/小时的拉速生长。该晶体属四方晶系，I4(1)/a(C4h 6)空间群，密度为3.152g/cm3，折射率2.0。该晶体在805nm处有一强的吸收峰，吸收截面88×10－20cm2，半峰宽18nm，适合于采用激光二极管(LD)来泵浦，在波长1062nm有强的荧光发射峰，发射跃迁截面为27×10－20cm2，易于产生波长为1062nm的激光输出，有望获得实际应用。 |
| 公开日期 | 2005-10-19 |
| 申请日期 | 2004-04-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66400]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王国富,黄新阳,林州斌,等. 掺钕钨酸镧锂激光晶体及其制备方法. CN1683609A. 2005-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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