锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置
文献类型:专利
作者 | 郑婉华; 刘磊![]() |
发表日期 | 2015-10-07 |
专利号 | CN104966984A |
著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置 |
英文摘要 | 一种锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置,包括:一锁模光子晶体半导体激光器和与之连接的一倍频晶体;其中,锁模光子晶体半导体激光器为叠层结构,包括:一N型衬底;一下电极,其制作在N型衬底的下表面;一N型限制层,其制作在N型衬底的上表面;一光子晶体,其制作在N型限制层上;一有源层,其制作在光子晶体上;一P型限制层,其制作在有源层上,该P型限制层的中间有一条状凸起为脊型结构;一P型盖层,其制作在P型限制层的脊型结构上,在该脊型结构上的P型盖层中间开有一绝缘槽;一电绝缘层,其制作在脊型结构两侧的该P型限制层上以及绝缘槽内的P型限制层上;以及一上电极,其制作在P型盖层上。 |
公开日期 | 2015-10-07 |
申请日期 | 2015-06-29 |
状态 | 申请中 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66403] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑婉华,刘磊,刘云,等. 锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置. CN104966984A. 2015-10-07. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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