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锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置

文献类型:专利

作者郑婉华; 刘磊; 刘云; 渠红伟
发表日期2015-10-07
专利号CN104966984A
著作权人中国科学院半导体研究所
国家中国
文献子类发明申请
其他题名锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置
英文摘要一种锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置,包括:一锁模光子晶体半导体激光器和与之连接的一倍频晶体;其中,锁模光子晶体半导体激光器为叠层结构,包括:一N型衬底;一下电极,其制作在N型衬底的下表面;一N型限制层,其制作在N型衬底的上表面;一光子晶体,其制作在N型限制层上;一有源层,其制作在光子晶体上;一P型限制层,其制作在有源层上,该P型限制层的中间有一条状凸起为脊型结构;一P型盖层,其制作在P型限制层的脊型结构上,在该脊型结构上的P型盖层中间开有一绝缘槽;一电绝缘层,其制作在脊型结构两侧的该P型限制层上以及绝缘槽内的P型限制层上;以及一上电极,其制作在P型盖层上。
公开日期2015-10-07
申请日期2015-06-29
状态申请中
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66403]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位中国科学院半导体研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
郑婉华,刘磊,刘云,等. 锁模光子晶体半导体激光直接倍频产生短波长激光装置. CN104966984A. 2015-10-07.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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