Tunneloverganger for langbølge-VCSEL-er.
文献类型：专利
| 作者 | RAJARM BHAT; NOBUHIKO NISHIYAMA |
| 发表日期 | 2006-12-05 |
| 专利号 | NO20065598A |
| 著作权人 | CORNING INC |
| 国家 | 挪威 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Tunneloverganger for langbølge-VCSEL-er. |
| 英文摘要 | En tunnelovergangsanordning (102) med minimal hydrogenpassivering av akseptorer omfatter et p-type tunnelovergangslag (106) av et første halvleder- materiale som er dopet med karbon. Det første halvledermaterialet omfatter aluminium, gallium, arsen og antimon. Et n-type tunnelovergangslag (104) av et andre halvledermateriale omfatter indium, gallium, arsen og én av aluminium og fosfor. Overgangen mellom p-type og n-type tuimelovergangslagene danner en tunnelovergang (110). |
| 公开日期 | 2006-12-05 |
| 申请日期 | 2006-12-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66459]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CORNING INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | RAJARM BHAT,NOBUHIKO NISHIYAMA. Tunneloverganger for langbølge-VCSEL-er.. NO20065598A. 2006-12-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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