中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
Tunneloverganger for langbølge-VCSEL-er.

文献类型:专利

作者RAJARM BHAT; NOBUHIKO NISHIYAMA
发表日期2006-12-05
专利号NO20065598A
著作权人CORNING INC
国家挪威
文献子类发明申请
其他题名Tunneloverganger for langbølge-VCSEL-er.
英文摘要En tunnelovergangsanordning (102) med minimal hydrogenpassivering av akseptorer omfatter et p-type tunnelovergangslag (106) av et første halvleder- materiale som er dopet med karbon. Det første halvledermaterialet omfatter aluminium, gallium, arsen og antimon. Et n-type tunnelovergangslag (104) av et andre halvledermateriale omfatter indium, gallium, arsen og én av aluminium og fosfor. Overgangen mellom p-type og n-type tuimelovergangslagene danner en tunnelovergang (110).
公开日期2006-12-05
申请日期2006-12-05
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66459]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位CORNING INC
推荐引用方式
GB/T 7714
RAJARM BHAT,NOBUHIKO NISHIYAMA. Tunneloverganger for langbølge-VCSEL-er.. NO20065598A. 2006-12-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。