Electrostatic current confinement for vertical cavity lasers
文献类型：专利
| 作者 | KLAUS STREUBEL; STEFAN RAPP |
| 发表日期 | 2000-10-04 |
| 专利号 | SE0003568D0 |
| 著作权人 | ZARLINK SEMICONDUCTOR AB |
| 国家 | 瑞典 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Electrostatic current confinement for vertical cavity lasers |
| 英文摘要 | A vertical cavity diode 10 has an n-contact 18, a p-contact 20, active layer 14 and an aperture electrode 22 positioned around an etched mesa. A bias may be selectively applied to the third electrode 22 in order to create an electric field in the device, confining current carriers centrally within the mesa. The device may be a VCSEL or a resonant cavity LED, and may be based on GaAs or InP. In an alternative embodiment (fig. 1B) the mesa is etched through the active layer 14. |
| 公开日期 | 2000-10-04 |
| 申请日期 | 2000-10-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66472]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ZARLINK SEMICONDUCTOR AB |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KLAUS STREUBEL,STEFAN RAPP. Electrostatic current confinement for vertical cavity lasers. SE0003568D0. 2000-10-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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