模式相干的双模半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 王列松; 赵玲娟; 王圩; 朱洪亮; 潘教青; 梁松 |
| 发表日期 | 2008-12-03 |
| 专利号 | CN101316024A |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 模式相干的双模半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 一种模式相干的双模半导体激光器结构，其中包括：一基底；一缓冲层，该缓冲层制作在基底上；一下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下限制层上，该多量子阱有源层为五段结构，两端为锯齿状，中间为平面结构，在中间与锯齿状结构之间的两段结构内注入磷；一上限制层，该上限制层制作在多量子阱有源层上的锯齿状的上面及中间部分；一盖层，该盖层制作在多量子阱有源层及上限制层的上面；一刻蚀阻止层，该刻蚀阻止层制作在盖层上；一欧姆接触层，该欧姆接触层分为五段制作在刻蚀阻止层上；一金属电极层，该金属电极层制作在分为五段的欧姆接触层上。 |
| 公开日期 | 2008-12-03 |
| 申请日期 | 2007-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王列松,赵玲娟,王圩,等. 模式相干的双模半导体激光器结构. CN101316024A. 2008-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。