陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 舒世立; 佟存柱; 单肖楠; 汪丽杰; 宁永强; 王立军 |
| 发表日期 | 2015-04-08 |
| 专利号 | CN104493169A |
| 著作权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法，属于半导体激光器芯片封装技术领域。解决了现有技术中金属热沉引入陶瓷颗粒后，热膨胀系数降低的同时导热性能也显著下降的问题。该热沉由金属热沉和嵌入金属热沉内的局部增强区组成，其中，局部增强区由10-60vol.％的金属和40-90vol.％陶瓷颗粒组成，金属为Cu或Al，陶瓷颗粒为TiB2、TiC或者TiB2-TiC。该热沉局部增强区的热膨胀系数可通过控制陶瓷颗粒含量进行调节，使其与半导体激光器芯片的热膨胀系数匹配，降低芯片与热沉之间的内应力，提高半导体激光器的使用寿命；且不影响热沉的整体导热系数，制备工艺简便、成本低，易于推广应用。 |
| 公开日期 | 2015-04-08 |
| 申请日期 | 2014-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66577]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 舒世立,佟存柱,单肖楠,等. 陶瓷颗粒局部增强金属热沉及其制备方法. CN104493169A. 2015-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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