氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 神川刚; 太田征孝 |
| 发表日期 | 2010-12-01 |
| 专利号 | CN101902014A |
| 著作权人 | 夏普株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案而提供提高的发光效能。氮化物半导体激光器芯片100(氮化物半导体芯片)具有：n型GaN基板10，具有在a轴方向上相对于m面具有偏角的面作为主生长面10a；和氮化物半导体层20，形成于n型GaN基板10的主生长面10a上。n型GaN基板10包括：凹陷部2(雕刻区域3)，在厚度方向上从主生长面10a被雕刻；和未雕刻区域4，是未被雕刻的区域。形成于n型GaN基板10上的氮化物半导体层20具有其厚度以梯度方式朝向凹陷部2(雕刻区域3)减小的梯度厚度区域5和其厚度变化非常小的发射部形成区域6。在发射部形成区域6中，形成脊部28。 |
| 公开日期 | 2010-12-01 |
| 申请日期 | 2010-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66598]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,太田征孝. 氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法. CN101902014A. 2010-12-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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