一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法
文献类型：专利
| 作者 | 张新; 徐现刚; 张雨; 吴德华; 夏伟 |
| 发表日期 | 2013-10-23 |
| 专利号 | CN103368072A |
| 著作权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法。利用MOCVD设备，将激光器放入反应室中，反应室升温至200℃～350℃时通AsH3，当温度达到400℃时再通入二甲基锌进行腔面扩散，当温度升至450℃～650℃保持20min～70min，在15min～30min内降温至150℃～300℃进行退火；当反应室温度下降至100℃以下时，Zn扩散完毕。本发明的方法Zn扩散均匀、易于控制并且产能较大，一次可以完成数十片激光器Zn扩散，并且进行Zn扩散制作非吸收窗口的激光器输出功率比闭管扩Zn的激光器功率提高10％。 |
| 公开日期 | 2013-10-23 |
| 申请日期 | 2012-03-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66642]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张新,徐现刚,张雨,等. 一种对红光半导体激光器进行Zn扩散的方法. CN103368072A. 2013-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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