ビーム偏向デバイス
文献类型：专利
| 作者 | 小山 二三夫; 中濱 正統; 顧 暁冬 |
| 发表日期 | 2017-09-07 |
| 专利号 | JP2017157609A |
| 著作权人 | 国立大学法人東京工業大学 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | ビーム偏向デバイス |
| 英文摘要 | 【課題】高解像度のビーム偏向と高出力動作を両立するビーム偏向デバイスを提供する。 【解決手段】ビーム偏向デバイス1において、第1VCSEL4は、第1方向に長く構成される。駆動回路6は、第1VCSEL4に、発振しきい値より大きな電流を注入し、第1VCSEL4を発振状態に維持する。第1VCSEL4は、第1方向の一端側に設けられた入射口60にコヒーレントな入射光L1を受け、光を垂直方向に多重反射させながら、第1方向にスローライト伝搬させ、第1VCSEL4の上面の出射口62から出射光L2を取り出すよう構成される。ビーム偏向デバイス1は、入射光L1の波長λ1および第1VCSEL4の発振波長λ2に応じた出射角θrで、出射光L2を放射する。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2017-09-07 |
| 申请日期 | 2016-02-29 |
| 状态 | 申请中 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66672]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国立大学法人東京工業大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小山 二三夫,中濱 正統,顧 暁冬. ビーム偏向デバイス. JP2017157609A. 2017-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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