オプトエレクトロニクスデバイスの分布ブラッグ反射器
文献类型：专利
| 作者 | ジョンソン、ラルフ エイチ.; ホーソン、ロバート エイ.; ビアード、ジェイムズ アール.; グエンター、ジェイムズ ケイ.; テータム、ジミー エイ.; ジョンソン、クライン エル. |
| 发表日期 | 2006-02-02 |
| 专利号 | JP2006504281A |
| 著作权人 | フィニサー コーポレイション |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | オプトエレクトロニクスデバイスの分布ブラッグ反射器 |
| 英文摘要 | 低いAl含有量の第1の層(192、142)と中程度のAl含有量の第2の層(194、144)との間に配置された高濃度にドーピングされた高いAl含有量の酸化アパーチャ形成層(190、140)のある分布ブラッグ反射器(180、238)を有した酸化層閉じ込め型VCSEL(100)である。第1の層と酸化アパーチャ形成層との間には、高いAl含有量から低いAl含有量へとAl含有量が変化する薄い遷移領域(196、146)がある。実施形態によっては、酸化アパーチャ形成層(190、140)から第2の層(194、144)へのAl濃度が段階的になっている場合がある。酸化アパーチャ形成層(190、140)は、共振レーザ光により生成された電界の零位もしくは節(y)又はその付近に配置される場合がある。酸化アパーチャ形成層の酸化の間、他のアルミニウム含有DBR層(180)の全て又は幾つかが酸化されるようになってもよいが、実質的に度合いは小さい。これらの層の酸化された部分(212)と酸化されない部分との間の接合部(214)が、デバイスの安定性及び/又は信頼性を低下させると考えられる。これを軽減するために、本発明は、これらの層(180)の酸化された部分(212)と酸化されない部分との間の接合部に関連する1つ以上の電気的加工物を低減又は除去するべく、インプラント(218)、エッチング又は他の適切なプロセスを施すこと、並びに、DBR(180)の他のアルミニウム含有層の酸化を低減することを意図する。 |
| 公开日期 | 2006-02-02 |
| 申请日期 | 2003-10-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | フィニサー コーポレイション |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ジョンソン、ラルフ エイチ.,ホーソン、ロバート エイ.,ビアード、ジェイムズ アール.,等. オプトエレクトロニクスデバイスの分布ブラッグ反射器. JP2006504281A. 2006-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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