用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构
文献类型：专利
| 作者 | 罗伯特·M·法雷尔; 马修·T·哈迪; 太田裕朗; 斯蒂芬·P·登巴尔斯; 詹姆斯·S·斯佩克; 中村修二 |
| 发表日期 | 2012-05-23 |
| 专利号 | CN102473799A |
| 著作权人 | 加利福尼亚大学董事会 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构 |
| 英文摘要 | 一种用于改良在非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N衬底上生长的(Ga，Al，In，B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构。所述结构包含非极性或半极性(Ga，Al，In，B)N激光二极管，所述激光二极管包括波导核心，其在不存在p型掺杂的含铝波导覆盖层的情况下为所述装置的操作提供足够光限制；以及一个或多个n型掺杂的含铝层，其可用于帮助沿特定晶面的刻面劈裂。 |
| 公开日期 | 2012-05-23 |
| 申请日期 | 2010-07-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66691]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 加利福尼亚大学董事会 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 罗伯特·M·法雷尔,马修·T·哈迪,太田裕朗,等. 用于改良在非极性或半极性(Ga,Al,In,B)N衬底上生长的(Ga,Al,In,B)N激光二极管的镜面刻面劈裂产率的结构. CN102473799A. 2012-05-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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