氮化物半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 佐藤智也; 中森达哉; 冈口贵大; 高山彻; 长谷川义晃 |
| 发表日期 | 2011-07-20 |
| 专利号 | CN102130424A |
| 著作权人 | 松下电器产业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体激光装置，其即便使激光束的功率高输出化，也能够使FFP(远视野图像)特性稳定且广角化。其具有：在n型复合层(2)之上形成的活性层(4)；形成在活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部(6a)和位于该脊形部的两侧方的平坦部(6b)的p型复合层(6)；形成在两平坦部之上，且具有比p型复合层大的光吸收系数的光吸收层(9)；在包含光吸收层的、p型复合层的上表面及脊形部的侧面形成的绝缘膜(8)。光吸收层具有设置在射出端面侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域、设置在射出端面的相反侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，其中Di1和Di2的关系满足Di1＜Di2。 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2011-01-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66737]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下电器产业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐藤智也,中森达哉,冈口贵大,等. 氮化物半导体激光装置. CN102130424A. 2011-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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