氮化物系半导体激光器的制造方法以及氮化物系半导体激光器
文献类型：专利
| 作者 | 金本恭三; 盐泽胜臣 |
| 发表日期 | 2009-09-09 |
| 专利号 | CN101527428A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 氮化物系半导体激光器的制造方法以及氮化物系半导体激光器 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种氮化物系半导体激光器的制造方法以及用该制造方法制造的氮化物系半导体激光器，其中，在如氮化物半导体材料那样的不易扩散杂质的材料系中高效且精度良好，适用于量产化，该制造方法代替了以往在GaAlAs系、AlGaInP系等中进行的局部杂质扩散。根据本发明的氮化物系半导体激光器的制造方法包括：准备具有用含有In的氮化物半导体形成的MQW活性层(4)的基板的工序；在MQW活性层(4)的光出射端面或光出射端面预定部的附近选择性地照射激光的工序；以及然后加热处理的工序。 |
| 公开日期 | 2009-09-09 |
| 申请日期 | 2009-03-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66740]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金本恭三,盐泽胜臣. 氮化物系半导体激光器的制造方法以及氮化物系半导体激光器. CN101527428A. 2009-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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