单片式半导体激光器及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西田武弘; 宮下宗治; 山口勉 |
| 发表日期 | 2005-04-06 |
| 专利号 | CN1604415A |
| 著作权人 | 三菱电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 单片式半导体激光器及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供一种单片式半导体激光器及其制造方法，使条带构造的相对的位置，即，发光点之间的相对的位置变成恒定。该单片式半导体激光器包含发光波长不同的多个半导体激光器，且包括：半导体衬底；在半导体衬底上的第1区域中形成的、从上下用第1包层把第1活性层夹在中间的第1双异质结构；在半导体衬底上的第2区域中形成的、从上下用第2包层把第2活性层夹在中间的第2双异质结构；第1和第2活性层由彼此不同的半导体材料构成。此外，第1活性层上下的第1包层由基本相同的半导体材料构成，而且，第2活性层上下的第2包层由基本相同的半导体材料构成。 |
| 公开日期 | 2005-04-06 |
| 申请日期 | 2004-08-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66750]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西田武弘,宮下宗治,山口勉. 单片式半导体激光器及其制造方法. CN1604415A. 2005-04-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。