Long wavelength VCSEL device processing
文献类型:专利
作者 | BIARD, JAMES R.; JOHNSON, KLEIN L.; JOHNSON, RALPH H.; PARK, GYOUNGWON; WANG, TZU-YU |
发表日期 | 2005-05-05 |
专利号 | US20050092710A1 |
著作权人 | FINISAR CORPORATION |
国家 | 美国 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | Long wavelength VCSEL device processing |
英文摘要 | A process for making a laser structure. The process is for the fabrication of a laser device such a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL). The structures made involve dielectric and spin-on material planarization over wide and narrow trenches, coplanar contacts, non-coplanar contacts, thick and thin pad dielectric, air bridges and wafer thinning. |
公开日期 | 2005-05-05 |
申请日期 | 2003-10-29 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66778] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | FINISAR CORPORATION |
推荐引用方式 GB/T 7714 | BIARD, JAMES R.,JOHNSON, KLEIN L.,JOHNSON, RALPH H.,et al. Long wavelength VCSEL device processing. US20050092710A1. 2005-05-05. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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