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Long wavelength VCSEL device processing

文献类型:专利

作者BIARD, JAMES R.; JOHNSON, KLEIN L.; JOHNSON, RALPH H.; PARK, GYOUNGWON; WANG, TZU-YU
发表日期2005-05-05
专利号US20050092710A1
著作权人FINISAR CORPORATION
国家美国
文献子类发明申请
其他题名Long wavelength VCSEL device processing
英文摘要A process for making a laser structure. The process is for the fabrication of a laser device such a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL). The structures made involve dielectric and spin-on material planarization over wide and narrow trenches, coplanar contacts, non-coplanar contacts, thick and thin pad dielectric, air bridges and wafer thinning.
公开日期2005-05-05
申请日期2003-10-29
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66778]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位FINISAR CORPORATION
推荐引用方式
GB/T 7714
BIARD, JAMES R.,JOHNSON, KLEIN L.,JOHNSON, RALPH H.,et al. Long wavelength VCSEL device processing. US20050092710A1. 2005-05-05.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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