一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构
文献类型：专利
| 作者 | 乔忠良; 李占国; 薄报学; 高欣; 张晶; 李特; 李林; 李辉; 王勇; 曲轶 |
| 发表日期 | 2015-02-04 |
| 专利号 | CN104332826A |
| 著作权人 | 长春理工大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构 |
| 英文摘要 | 一种大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器结构，其特征在于，包括：一衬底，在该层结构上进行激光器各层材料外延生长；一缓冲层，该缓冲层生长在衬底上，为N型砷化镓材料；一N型下限制层，该N型下限制层制作在缓冲层上；一下N型下波导层，该N型下波导层生长在下限制层上；一多量子阱层，该多量子阱层生长在下波导层上；一P型上波导层，该P型上波导层生长在多量子阱层上；一P型上限制层，该P型上限制层生长在P型上波导层上；一P型高掺杂层，该P型高掺杂层生长在P型上限制层上，形成大功率低垂直发散角多量子阱半导体激光器半导体激光器结构。 |
| 公开日期 | 2015-02-04 |
| 申请日期 | 2014-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66788]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 长春理工大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 乔忠良,李占国,薄报学,等. 一种大功率低垂直发散角InGaAs/GaAs多量子阱半导体激光器结构. CN104332826A. 2015-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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