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半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置

文献类型:专利

作者别所靖之; 大保广树; 竹内邦生; 德永诚一; 久纳康光; 畑雅幸
发表日期2010-07-28
专利号CN101789562A
著作权人三洋电机株式会社
国家中国
文献子类发明申请
其他题名半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置
英文摘要本发明提供一种半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。该半导体激光元件的制造方法包括:形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序;将第二半导体激光元件基板贴合在具有第一槽的表面一侧的工序;和在此之后,至少沿第一槽劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序。
公开日期2010-07-28
申请日期2010-01-26
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66794]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位三洋电机株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
别所靖之,大保广树,竹内邦生,等. 半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置. CN101789562A. 2010-07-28.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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