半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置
文献类型:专利
| 作者 | 别所靖之; 大保广树; 竹内邦生; 德永诚一; 久纳康光; 畑雅幸 |
| 发表日期 | 2010-07-28 |
| 专利号 | CN101789562A |
| 著作权人 | 三洋电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光元件的制造方法和半导体激光元件。该半导体激光元件的制造方法包括:形成表面具有用于劈开的第一槽的第一半导体激光元件基板的工序;将第二半导体激光元件基板贴合在具有第一槽的表面一侧的工序;和在此之后,至少沿第一槽劈开第一半导体激光元件基板和第二半导体激光元件基板的工序。 |
| 公开日期 | 2010-07-28 |
| 申请日期 | 2010-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66794] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 别所靖之,大保广树,竹内邦生,等. 半导体激光元件的制造方法、半导体激光元件和光学装置. CN101789562A. 2010-07-28. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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