VCSEL阵列器件和制造VCSEL阵列器件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 松下和征; 植木伸明 |
| 发表日期 | 2009-05-27 |
| 专利号 | CN101442183A |
| 著作权人 | 富士施乐株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | VCSEL阵列器件和制造VCSEL阵列器件的方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种VCSEL阵列器件，该VCSEL阵列器件包括形成在纵向延伸的基板上的至少第一多层反射膜、有源层，以及第二多层反射膜。通过选择性地移除第一多层反射膜、有源层，以及第二多层反射膜的至少一部分，在该基板上形成了多个台面部分。在第一多层反射膜和第二多层反射膜中的至少一个上形成有选择氧化区。该VCSEL阵列器件还包括覆盖了该台面部分的至少侧部和底部的层间绝缘膜，以及覆盖了该层间绝缘膜的表面保护膜。该表面保护膜具有沿该基板的纵向形成的多个槽，其中移除了该表面保护膜的至少一部分。 |
| 公开日期 | 2009-05-27 |
| 申请日期 | 2008-09-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66844]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士施乐株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松下和征,植木伸明. VCSEL阵列器件和制造VCSEL阵列器件的方法. CN101442183A. 2009-05-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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